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臺積電芯片工藝突破!3nm相比5nm密度提升1.7倍

科技來源:新浪2021-12-28 10:52

  臺積電(南京)有限公司總經理羅鎮球,在近日于無錫舉辦的中國集成電路設計業2021年會暨無錫集成電路產業創新發展高峰論壇上分享了該公司在芯片制程工藝上的最新進展。

  羅鎮球將該主題演講的標題定為《半導體產業的新時代》。在演講中,羅鎮球宣布,臺積電的7nm工藝是在2018年推出的,5nm在2020年推出,在2022年會如期推出3nm工藝,而且2nm工藝也在順利研發。同時指出“雖然有很多人說摩爾定律在減速或者在逐漸消失,可事實上臺積電正在用新工藝證明了摩爾定律仍在持續往前推進。”

  在峰會上,羅鎮球向外界展示了臺積電芯片工藝研發路線圖,從 5nm 工藝至 3nm,晶體管邏輯密度可以提升 1.7 倍,性能提升 11%,同等性能下功耗可以降低 25%-30%。對于這樣的性能提升,羅鎮球指出該公司的實現方式是,其一是改變晶體管的結構,其二是改變晶體管的材料。此外,他還強調,未來會通過3D 封裝技術來提高芯片的性能。

  根據智慧芽數據顯示,截至最新,臺積電及其關聯公司在126個國家/地區中,共有6萬8千余件專利申請,幾乎所有專利都是發明專利。值得注意的是2015年以前臺積電的授權專利占比是90%以上。

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