雖然在7nm、5nm及4nm節(jié)點上落后了一些，但在接下來的3nm節(jié)點三星更激進，要全球首發(fā)GAA晶體管工藝，放棄FinFET晶體管技術(shù)，而臺積電的3nm工藝依然會基于FinFET工藝。

　　三星之前表示，GAA是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應(yīng)管)，該技術(shù)可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

　　根據(jù)三星的說法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數(shù)上來說卻是要優(yōu)于臺積電3nm FinFET工藝。

　　當(dāng)然，這些還是紙面上的，三星的3nm工藝挑戰(zhàn)也不少，光是量產(chǎn)就是個問題，之前三星宣傳2021年就量產(chǎn)，實際上并沒有，最快也是今年，而且首發(fā)的是3GAE低功耗工藝，高性能的3GAP工藝至少要2023年了。

　　據(jù)韓國媒體報道，三星已經(jīng)準(zhǔn)備在韓國平澤市的P3工廠開工建設(shè)3nm晶圓廠了，6、7月份動工，并及時導(dǎo)入設(shè)備。

　　按照這個進度，今年的3GAE工藝應(yīng)該也只會是小規(guī)模試產(chǎn)，大規(guī)模量產(chǎn)也要到明年了，跟臺積電的3nm工藝差不多，兩家都因為種種問題延期量產(chǎn)3nm工藝了。