臺積電首先介紹了 N3 的 FINFLEX，包括具有以下特性的 3-2 FIN、2-2 FIN 和 2-1 FIN 配置：

　　3-2 FIN – 最快的時鐘頻率和最高的性能滿足最苛刻的計算需求

　　2-2 FIN – Efficient Performance，性能、功率效率和密度之間的良好平衡

　　2-1 FIN – 超高能效、最低功耗、最低泄漏和最高密度

　　臺積電稱FINFLEX 擴展了 3nm 系列半導體技術的產品性能、功率效率和密度范圍，允許芯片設計人員使用相同的設計工具集為同一芯片上的每個關鍵功能塊選擇最佳選項。

　　而在 N2 方面，臺積電稱這是其第一個使用環繞柵極晶體管 (GAAFET) 的節點，而非現在的 FinFET(鰭式場效應晶體管)。新的制造工藝將提供全面的性能和功率優勢。在相同功耗下，N2 比 N3速度快10~15%;相同速度下，功耗降低 25~30%。不過，與 N3E 相比，N2 僅將芯片密度提高了 1.1 倍左右。

　　N2 工藝帶來了兩項重要的創新：納米片晶體管(臺積電稱之為 GAAFET)和backside power rail。GAA 納米片晶體管的通道在所有四個側面都被柵極包圍，從而減少了泄漏;此外，它們的通道可以加寬以增加驅動電流并提高性能，也可以縮小以最大限度地降低功耗和成本。為了給這些納米片晶體管提供足夠的功率，臺積電的 N2 使用 backside power rail，臺積電認為這是在back-end-of-line (BEOL) 中對抗電阻的最佳解決方案之一。

　　臺積電將 N2 工藝定位于各種移動 SoC、高性能 CPU 和 GPU。具體表現如何，還需要等到后續測試出爐才能得知。