聲明稱，在未來20年，美光計劃向工廠總共投資高達1000億美元，這將成為紐約州歷史上最大的私人投資，能為當地創造約50,000個就業機會。在項目周期內，紐約州還將為工廠提供55億美元的資金激勵，支持工廠招聘和資本投資。
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美光將向一期項目投資200億美元，在克萊鎮新建一個巨型內存工廠，2023年開始場地準備工作，2024年開始施工，2025年實現量產，并在2026年-2030年間根據行業需求逐步增產。
聲明指出，這座工廠最終可能包含四個600,000平方英尺的潔凈室——半導體工業生產廠房，總計面積能達到240萬平方英尺，規模接近40個橄欖球場的大小，創美國半導體行業歷史之最。
美光透露，紐約工廠將采用最先進的半導體制造工藝和工具，包括極紫外線(EUV) 光刻技術，以鞏固公司在DRAM行業中的領先地位。
在2031年-2040年期間，美光將致力于推動DRAM在美產量的增長，目標是占全球產量的40%以上。
在聲明中，美光還提到了美國政府不久前簽署的《芯片與科學法案》(Chips and Science Act)。公司首席執行官桑杰·梅羅特拉表示，“毫無疑問，如果沒有這項法案，我們就不會有今天。”
目前這項法案已經促成了包含格芯、SK海力士、環球晶圓等多家芯片公司在美設廠的計劃。
