經過測試，該公司得出結論，MUF 不適用于高帶寬內存 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技術制造，主要用于服務器。
MUF 是一種在半導體上打上數千個微小的孔，然后將上下層半導體連接的 TSV 工藝后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆疊的多個半導體牢固地固定并連接起來。
在此之前，三星已經在其現有的注冊雙列直插式內存模塊(RDIMM)中使用了熱壓非導電膜(TC NCF)技術，而 MUF 是 SK 海力士用于制造高帶寬內存(HBM)的技術(具體來說是 Mass Re-flow Molded Underfill，簡稱 MR-MUF)。
查詢發現，MUF 是一種環氧樹脂模塑化合物，自從著 SK 海力士成功將其應用于 HBM 生產后便在芯片行業愈發受關注，業界認為該材料被認為在避免晶圓翹曲方面更有優勢。
資料顯示，SK 海力士所使用的化合物是與 Namics 合作開發的，而消息人士稱三星則計劃與三星 SDI 合作開發自己的 MUF 化合物，目前已經訂購了 MUF 應用所需的模壓設備。
三星是世界最大的存儲半導體龍頭企業，如果三星也引入 MUF，那么 MUF 可能會成為主流技術，半導體材料市場也會發生巨大的變化，不過三星電子相關人士對此回應稱“無法確認內部技術戰略”。
