3 月 6 日消息，固態技術協會 JEDEC 今日正式發布 JESD239 GDDR7 顯存標準(Graphics Double Data Rate)，JESD239 GDDR7 提供的帶寬是 GDDR6 的兩倍，每臺設備最高可達 192 GB/s。 　　據介紹，JESD239 GDDR7 是第一個使用脈幅調制(Pulse Amplitude Modulation，PAM)接口進行高頻操作的 JEDEC 標準 DRAM。其 PAM3 接口提高了高頻操作的信噪比(SNR)，同時提高了能源效率。通過使用 3 個級別(+1，0，-1)在 2 個循環上傳輸 3 個比特，而傳統的 NRZ(不歸零)接口在 2 個周期上傳輸 2 個比特，PAM3 提供了更高的每循環數據傳輸速率，從而提高了性能。

　　JESD239 GDDR7 的其他高級功能包括：

　　具有眼圖掩蔽和錯誤計數器的核心獨立 LFSR(線性反饋移位寄存器)訓練模式，可提高訓練準確性，同時減少訓練時間。

　　獨立通道數量翻倍，從 GDDR6 中的 2 個增加到 GDDR7 中的 4 個。

　　支持 16 Gbit 至 32 Gbit 密度，包括支持 2 通道模式以使系統容量加倍。

　　通過整合最新的數據完整性功能，包括帶實時報告的片上 ECC(ODECC)、數據中毒、錯誤檢查和清理以及帶命令阻塞的命令地址奇偶校驗(CAPARBLK)，滿足 RAS(可靠性、可用性、可維護性)的市場需求。

　　JEDEC 董事會主席 Mian Quddus 表示：“JESD239 GDDR7 標志著高速顯存設計的重大進步。隨著向 PAM3 信號的轉變，顯存行業有了一條新的途徑來擴展 GDDR 設備的性能，并推動圖形和各種高性能應用的不斷發展。”

　　JEDEC GDDR 小組委員會主席 Michael Litt 說道：“GDDR7 是首款不僅專注于帶寬，而且通過整合最新數據完整性功能來滿足 RAS 市場需求的 GDDR，這些功能使 GDDR 設備能夠更好地服務云游戲和計算等現有市場，并擴展到 AI。”

　　從公告中獲悉，AMD、美光、英偉達、三星、SK 海力士都對該標準表示了支持。此外，三星和美光都已經制定了下一代 GDDR7 模塊的開發計劃。三星的目標是 32 Gbps 速度，實現 1.6 倍的性能提升;而美光的目標也是 24 Gb+ 32 Gbps 芯片。美光在最新的路線圖中還表示，到 2026 年，將推出高達 36 Gbps 和 24Gb+ 的顯存芯片。