70年巨變·邯鄲與共和國(guó)共成長(zhǎng)70年巨變·邯鄲與共和國(guó)共成長(zhǎng)其中版本劃分上N3是屬于常規(guī)版本，而N3E則是性能增強(qiáng)版，計(jì)劃是2024年量產(chǎn)，但根據(jù)目前的技術(shù)限制，N3E變成了精簡(jiǎn)版，規(guī)格縮水。
據(jù)悉，N3E工藝將使用更少的EUV光刻層，從25層縮減到21層，投產(chǎn)難度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是晶體管密度會(huì)比N3版本低大約8%，相比N5仍然會(huì)高60%。
雖然工藝上有所縮水，但良品率的提高和成本的下降對(duì)于消費(fèi)級(jí)芯片性能過(guò)剩的今天而言，也未嘗不是一件好事。
據(jù)悉該芯片預(yù)計(jì)本月底完成設(shè)計(jì)，預(yù)計(jì)2023年第二季度會(huì)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
