其中版本劃分上N3是屬于常規版本，而N3E則是性能增強版，計劃是2024年量產，但根據目前的技術限制，N3E變成了精簡版，規格縮水。

　　據悉，N3E工藝將使用更少的EUV光刻層，從25層縮減到21層，投產難度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是晶體管密度會比N3版本低大約8%，相比N5仍然會高60%。

　　雖然工藝上有所縮水，但良品率的提高和成本的下降對于消費級芯片性能過剩的今天而言，也未嘗不是一件好事。

　　據悉該芯片預計本月底完成設計，預計2023年第二季度會實現量產。