在蘋果A17芯片之后，高通也將會(huì)擁抱臺(tái)積電3nm工藝。博主數(shù)碼閑聊站透露，高通驍龍8 Gen4將會(huì)基于臺(tái)積電3nm工藝制程打造，這將是高通史上第一款3nm芯片，而且驍龍8 Gen4使用的是臺(tái)積電N3E工藝。

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　　據(jù)悉，臺(tái)積電3nm工藝家族包含N3B、N3E、N3P、N3X、N3S等多個(gè)版本，其中N3B是初始版本，對(duì)比N5，N3B在同等功耗下性能提升12%、同等性能下功耗降低27%，但性能、功耗、量產(chǎn)良率和進(jìn)度等都未達(dá)臺(tái)積電預(yù)期。

　　于是有了增強(qiáng)版的N3E，臺(tái)積電N3E修復(fù)了N3B上的各種缺陷，設(shè)計(jì)指標(biāo)也有所放寬，對(duì)比N5同等功耗性能提升15-20%、同等性能功耗降低30-35%，邏輯密度約1.6倍、芯片密度約1.3倍。

　　除了基于臺(tái)積電N3E工藝制程制造之外，高通驍龍8 Gen4將會(huì)采用自研的Nuvia架構(gòu)，屆時(shí)高通將用2個(gè)Nuvia Phoenix性能核心和6個(gè)Nuvia Phoenix M核心的全新雙集群八核心CPU架構(gòu)方案，這將是高通驍龍5G Soc史上的一次重大變化。